台積電2015第一季法說會重點摘要

• 10nm的產品認證仍然維持在2015年Q4。已有10個客戶與台積電在10nm合作。2016年Q1將進行10nm試產，2017年會對營收有貢獻。
• 7nm的研發在2014年初就已經開始了，7nm的設備將使用大部份的10nm設備。2017年年初將會做risk production。
• 10nm就先在部份光罩採用EUV技術進行曝光。
• 台積電28nm的巿佔率約在70%。
• InFO的ramp up仍舊在2016 Q2，而且會在2016 Q4貢獻超過100 million US$，龍潭廠的其中一條生產線已經幾乎要完成了，目前正在做工程實驗。
• 雖然16nm FinFET的die size比競爭者大，但是台積電在第二代FinFET transistor的speed上，改善非常多，所以16nm FinFET的speed比競爭者快10%。
• 20nm+16nm的毛利率會在2017達到公司的平均毛利率。
• 中國大陸的新廠投資仍在評估階段。
• 2015年資本支出，由原估115億到120億美元調降為105億到110億美元之間，而調整的原因有2大因素，主要是良率提升，使得投資成本降低，另一個就客戶的需求從20nm轉進16nm，而20nm與16nm的製程的設備有95%重疊性。
• InFO的毛利率與台積電其他backend製程的毛利率相當。
• 台積電不會有8nm。